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美日聯(lián)手開發(fā)32納米集成電路 (2006-01-23)

發(fā)布時間:2007-12-04 作者: 來源:經(jīng)濟參考報 瀏覽:1334
  日本索尼、東芝和美國IBM公司最近宣布將在半導體的微細加工方面加強合作,聯(lián)手共同開發(fā)32納米的下一代大規(guī)模集成電路,并計劃在2013年投放市場,與韓國三星電子和美國英特爾公司展開競爭。   集成電路和存儲器半導體的線路越細微,就越能使電器產品更加趨向小型化,并且還能夠提高產品的性能。目前,日本主流集成電路半導體線路為90納米,最尖端的為65納米。
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